當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的

電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為
　　
　　U=K·I·B/d
　　
其中K為霍爾係數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫磁力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。

由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關係。霍爾效應原理圖霍爾接近開關就屬於這種有源磁電轉

換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝製作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信

號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。
　　
霍爾接近開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的，當B值達到一定的程度（如B1）時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的

輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙

信號輸出之分。
　　
霍爾開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內部采用環氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環境下可

靠的工作。霍爾開關可應用於接近開關，壓力開關，裏程表等，作為一種新型的電器配件。

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